TSMC y ASML se asocian en fotomáscaras EUV de 12 pulgadas para chips avanzados

09/09/2026 11:33(Actualizado 29/09/2026 12:02)
Foto de archivo de CNA.
Foto de archivo de CNA.

Taipéi, 8 de septiembre (CNA) Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) anunció el martes que colaborará con el fabricante holandés de equipos para semiconductores ASML Holding N.V. para liderar la transición de la industria de semiconductores hacia el uso de fotomáscaras de litografía ultravioleta extrema (EUV) de 12 pulgadas para la producción avanzada de chips.

La asociación, anunciada antes de la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, tiene como objetivo establecer una línea de producción piloto para fotomáscaras EUV de 12 pulgadas para el año 2031 y preparar el ecosistema de litografía para la fabricación en volumen para 2033, dijo TSMC en un comunicado.

Según TSMC, el mayor fabricante de chips por contrato del mundo, el cambio de las actuales fotomáscaras EUV de 6 pulgadas a versiones de 12 pulgadas se espera que mejore la productividad de las fábricas de obleas, reduzca los costos de fabricación de chips y elimine la necesidad de unir dos fotomáscaras de 6 pulgadas durante la exposición EUV de alta apertura numérica (High NA).

La EUV es una tecnología avanzada de litografía utilizada para fabricar chips semiconductores, mientras que las fotomáscaras son plantillas utilizadas para transferir patrones de circuitos a las obleas de silicio.

La transición permitirá a los fabricantes avanzados de chips aprovechar plenamente las ventajas de la tecnología EUV de High NA, al tiempo que mejora la eficiencia de costos de las futuras generaciones de chips avanzados, dijo TSMC.

El presidente y CEO de TSMC, C.C. Wei (魏哲家), dijo que la compañía planea introducir la tecnología High NA de ASML en la producción en masa para procesos avanzados a partir de 2030.

A medida que las tecnologías de semiconductores avanzan, especialmente a medida que las aplicaciones de inteligencia artificial impulsan arquitecturas de transistores cada vez más complejas, TSMC espera que el número de capas de fotomáscara que requieren exposición EUV de High NA aumente, dijo Wei.

El presidente y CEO de ASML, Christophe Fouquet, dijo que se espera que la adopción de la EUV de High NA aumente a medida que la industria continúe empujando los límites de la miniaturización de dispositivos.

Los fabricantes de chips inicialmente continuarán utilizando las fotomáscaras existentes de 6 pulgadas antes de pasar a las versiones de 12 pulgadas para mejorar aún más la productividad del equipo y satisfacer la creciente demanda de chips más pequeños, rápidos y eficientes en energía, dijo Fouquet.

Escrito por Chang Chien-chung y Evelyn Kao
Editado por YaLi Chen

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Traducida con inteligencia artificial y revisada por un equipo editorial en español antes de su publicación.